又一巨星陨落！

2019年12月4日17时10分，“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。陈星弼，1931年1月出生于上海，1952年毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教，1999年当选中国科学院院士。

他是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，该发明被称为“功率器件的新里程碑”。

2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。

经过多年的试验，陈星弼通过改变功率管的结构，发明了复合缓冲耐压结构，现称为超结器件（SUPER-JUNCTION）。它的优点是导通电阻低，易驱动，速度快。该技术已经获得美国和中国发明专利。自1998年起，国外已有8家公司在制造。这个方法的工艺被改进后，成本大大下降，目前已成为一种重要产品，科技成果转化市场规模每年超过10亿美元。

20世纪90年代初，行业内专家认为，陈星弼的几项发明成为第二次电子革命的突破口，这一创新在十年内将无人能突破。

国外专家对陈星弼及其发明给予高度评价：“ 陈教授是电子学科领域的知识巨匠，是国家的宝藏，应该被认为是中国现代的英雄。”

有专家提到陈星弼的发明对半导体业界革命性的影响说：“他们所发布的这些专利和发明，真真切切地在功率半导体技术方面引发了一场革命。”

大师远去，荣光犹存。